格隆汇5月29日｜古鳌科技回复深交所问询函，根据上海昊元古投资新存科技时的商业计划，新存科技预计在2024年第三季度完成三维新型存储芯片技术研发和性能优化，良品率预计在2024年达到50%。 截至目前，新存科技三维新型存储芯片项目已经完成测试芯片和原型芯片的开发工作，目前正在进行产品芯片的优化工作，并开启实验性试产。预计完成三维新型存储芯片技术研发和性能优化及产品良品率在2024年达到50%的目标不存在实质性障碍，相应研发进程将会根据客户的实际需求进行调整。