IT之家 12 月 22 日消息，据意法半导体官微消息，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅 MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。

据介绍，意法半导体的碳化硅具有更高的开关频率、击穿电压和热阻，可以显著提高功率晶体管的性能和能效，这些特性在纯电车的高电压环境中非常重要。理想汽车即将推出的 800V 高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代 1200V SiC MOSFET 技术。

理想汽车供应链副总裁孟庆鹏表示：

意法半导体执行副总裁、中国区总裁曹志平表示：

据IT之家此前报道，在今年 6 月举行的理想汽车召开理想家庭科技日发布会上，理想汽车发布了 800V 高压平台 5C 电池，充电峰值功率超过 500kw，9 分 30 秒续航 400 公里，充电 22 分钟续航 600 公里；5C 快充采用低内阻电芯，产热降低 30％。

理想汽车还宣布，2024 年底前完成建设 300 + 个超级充电站，2025 年完成建设 3000 + 个超充站。2025 年，超充站点之间平均间隔 100 公里，单个站点每小时可以服务 9-20 辆车。

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