财联社6月29日讯（编辑 牛占林）据多家媒体报道，美国存储芯片公司美光科技周三与印度政府签署了一份谅解备忘录，将在该国古吉拉特邦建立半导体工厂，为其第一家在印工厂。

　　美光上周确认，将投资至多8.25亿美元在印度古吉拉特邦新建芯片组装和测试设施。在印度中央政府和古吉拉特邦的支持下，该工厂的总投资额将达到27.5亿美元，其中50%将来自印度中央政府、20%来自古吉拉特邦，这也意味着印度政府补贴占比高达总开支的70%。

　　美光此前称，新工厂预计将于今年开建，项目一期将于2024年底投入使用，二期预计将在本十年下半期启动，两个阶段共计将创造至多5000个直接就业机会，以及15000个社区工作岗位。

　　据悉，该半导体工厂将建在古吉拉特邦艾哈迈达巴德市附近的萨南德地区，新工厂将实现DRAM和NAND产品的组装和测试制造。DRAM和NAND是两种主要存储类型。

　　在该项目的第一阶段，计划中的约50万平方英尺的洁净室空间将在2024年底前投入使用，随着时间的推移，美光科技将逐步提高产能，以满足全球需求趋势。

　　美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“我们对印度为发展当地半导体生态系统而采取的措施感到兴奋，感谢印度政府和所有参与投资的官员。我们在印度的新组装和测试地点将使美光能够扩大我们的全球制造基地，更好地为我们在印度和世界各地的客户服务。”

　　美光科技的计划是该公司战略的一部分，旨在满足跨市场对内存和存储的预期长期需求，并补充该公司的全球组装和测试网络。

　　美光之所以选择印度古吉拉特邦建厂，主要是因为其制造业基础设施、有利的商业环境以及当地工业园区完善的人才渠道。

　　印度联邦内阁部长Shri Ashwini Vaishnaw表示：“美光在印度建立组装和测试制造的投资将从根本上改变印度的半导体格局，并创造数万个高科技和建筑业就业机会。这项投资将是印度蓬勃发展的半导体生态系统的关键组成部分。”