三星电子公布2纳米芯片量产路线图,将于2027年量产1.4纳米芯片

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  三星电子公司周三表示,已公布了其2纳米制程芯片量产的详细计划。这表明该公司对其技术实力充满信心,并将继续在代工业务上加倍下注。

  当地时间周二,三星电子在美国加州圣何塞举行的“三星代工论坛”(SFF)上分享了上述计划。数百名三星代工业务客户和合作伙伴参加了该论坛,分享了最新的技术趋势。

  根据该计划,三星电子将分别于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。

  三星表示,与3纳米工艺相比,2纳米芯片的性能提高了12%,功率效率提高了25%,面积减少了5%。

  作为全球最大的存储芯片制造商和第二大代工企业,三星电子还表示,将按计划于2027年开始量产1.4纳米芯片。

  去年6月,三星电子开始量产采用GAA (全环绕栅极)技术的3纳米芯片。当时,三星已经表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段,计划于2025年量产。

  但在周二的SFF论坛上,三星首次公布了2纳米及以下节点的详细路线图。

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